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延安大学超高真空磁控溅射薄膜沉积系统采购项目原定于2024年5月23日15:00在延安大学新校区行政楼408会议室进行竞争性谈判采购,现将有关事项更正公告如下
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延安大学超高真空磁控溅射薄膜沉积系统采购项目现已具备采购条件,该项目将采用竞争性谈判方式进行采购,欢迎符合资格条件的、有能力提供本项目所需货物、服务或工程的潜在供应商参加
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现进行公开招标。二、项目概况和招标范围项目规模:采购超高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统。招标内容与范围:本招标项目划分为标段1个标段,本次招标为其中的
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其中前驱体源包括氧化锡、氧化铝及1路备用前驱源系统;PLC控制系统、样品薄膜沉积系统、废气处理系统等。2紫外分光度测试设备套1M9型测试仪,测试波长185nm
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CB102862024000517成交总额:150000申购主题:薄膜沉积系统送货时间:发布竞价结果后15天内送达采购单位:东南大学安装要求
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仪器最高温度可以达到1200℃。两个炉体可在滑轨上滑动,实现对原材料的蒸发/升华,及薄膜沉积。通过炉体的滑动可实现对样品快速加热,需配KF25不锈钢法兰
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项目概况中国科学院合肥物质科学研究院薄膜沉积系统采购项目招标项目的潜在投标人应在www.oitccas.com获取招标文件,并于2024年05月21日09点30分(北京时间)前递交投标文件
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15:53截止时间:2024-05-0609:00:00基本信息:申购主题:薄膜沉积系统报价要求:国产含税发票类型:增值税专用发票付款方式:货到验收合格后付款送货时间
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有机源用蒸发电源,最高加热温度不低于800℃。7.膜厚监控:采用薄膜沉积控制仪在线控制蒸镀速率和膜厚,可同时数显4路探头输出,膜厚仪速率和厚度分辨率±0
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FZB-240029)二、项目名称:东南大学碳中和科学技术研究院碳中和薄膜沉积平台三、中标(成交)信息供应商名称:中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司供应商地址
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坩埚配有电动防污挡板,具有高压灭弧自动复位功能;手操器带坩埚显示,方便操作人员观察;4)薄膜沉积控制:设定沉积速率,晶控可控制束流输出;速率显示精度优于±0.01A/s;5)水冷
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即有机/无机/金属蒸镀系统。用于批量生产线,在预处理后将OLED的有机薄膜和金属薄膜沉积到玻璃基板上。适用基板为2290mm±0.2mm×1310mm±0
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CB146552024000149成交总额:248000申购主题:半导体薄膜沉积系统送货时间:采购单位:深圳技术大学安装要求:免费上门安装(含材料费)竞价开始时间
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即有机/无机/金属蒸镀系统。用于批量生产线,在预处理后将OLED的有机薄膜和金属薄膜沉积到玻璃基板上。适用基板为2290mm±0.2mm×1310mm±0
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南开大学电子信息与光学工程学院反应等离子体薄膜沉积系统采购项目(NK2024H003N)结果公告项目名称:南开大学电子信息与光学工程学院反应等离子体薄膜沉积系统采购项目项目编号
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16. ALD原子层沉积系统招标公告000.000采购品目:真空应用设备采购需求概况:1.适用于8英寸以及小尺寸样品薄膜沉积;2.反应腔材质为316L不锈钢,底座整块材料加工,腔体表面抛光后电解;3
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东南大学碳中和科学技术研究院碳中和薄膜沉积平台采购公开招标公告项目概况东南大学碳中和科学技术研究院碳中和薄膜沉积平台采购招标项目的潜在投标人应在东南大学采购中心网(https
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序号设备名称数量简要参考技术指标交货期交货地点01原子层沉积镀膜系统1套样品台类型:适合12英寸及以下晶圆的薄膜沉积样品(详见第二部分)合同签订后6个月上海本项目预算金额:本项目预算金额人民币1300万元
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13截止时间:2024-03-2118:30:00基本信息:申购主题:半导体薄膜沉积系统报价要求:含税发票类型:增值税专用发票付款方式:货到验收合格后付款送货时间
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招标公告光电薄膜沉积系统采购国际招标公告(1)安徽省招标集团股份有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2024-03-15在中国国际招标网公告
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变更公告光电薄膜沉积系统采购国际招标澄清或变更公告(1)澄清或变更简要说明:变更投标截止时间及开标时间为2024年04月08日上午10
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序号设备名称数量简要参考技术指标交货期交货地点01原子层沉积镀膜系统1套样品台类型:适合12英寸及以下晶圆的薄膜沉积样品(详见第二部分)合同签订后6个月上海本项目预算金额:本项目预算金额人民币1300万元
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47截止时间:2024-03-1209:00:00基本信息:申购主题:半导体薄膜沉积系统报价要求:含税发票类型:增值税专用发票付款方式:货到验收合格后付款送货时间
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超市中标结果公告招标项目名称余政工出【2023】1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目施工地勘服务结算审计招标项目编号Y3301100000011
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项目信息项目名称余政工出【2023】1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目施工地勘服务项目编号Y3301100000011526招标项
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0(招标文件编号:0722-2023FE5249SZF-0)二、项目名称:薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目三、中标(成交)信息供应商名称
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扫描电子显微镜、量子光学实验平台、任意波形发生器、矢量网络分析仪、高真空双室薄膜沉积系统、电磁铁系统等。主要采购内容详见第三章采购需求。8、合同履行期限
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项目概况薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目招标项目的潜在投标人应在登录“远东招标深圳(www.zgyd11.com)”下载获取招标文件
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旋转滴低界面张力仪1台,马弗炉1台,界面参数一体测量系统1台,高真空磁控溅射薄膜沉积系统1台,旋转流变仪1台,动态热机械分析仪1台,碳化硅晶体炉(石英管式)1台
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仪器最高温度可以达到1200℃。两个炉体可在滑轨上滑动,实现对原材料的蒸发/升华,及薄膜沉积。通过炉体的滑动可实现对样品快速加热
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天阳建设管理有限公司工程名称余政工出[2023]1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目桩基检测项目交易编号Y3301100000012024001
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以下简称采购代理机构)受zycgr21071303(以下简称为采购人)委托,就“薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目[项目编号:0722
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高真空磁控溅射薄膜沉积系统网上比选采购评审结果公示项目编号:招设2024C00005项目名称:高真空磁控溅射薄膜沉积系统评审日期
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天阳建设管理有限公司工程名称余政工出【2023】1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目基坑监测项目交易编号Y3301100000012023001
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钱江开发区投资发展有限公司的余政工出[2023]1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目桩基检测项目(交易编号:Y3301100000012024001001)现予公示承包候选人
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钱江开发区投资发展有限公司的余政工出【2023】1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目基坑监测项目(交易编号:Y3301100000012023001001)现予公示承包候选人
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AEMD二期项目位于交大闵行校区综合实验楼一层,总净化面积约1200m2,其中配置有先进的光刻、薄膜沉积与刻蚀、湿法清洗与刻蚀等微纳加工设备。本项目主要涉及AEMD平台二
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AEMD二期项目位于交大闵行校区综合实验楼一层,总净化面积约1200m2,其中配置有先进的光刻、薄膜沉积与刻蚀、湿法清洗与刻蚀等微纳加工设备。本项目主要涉及AEMD平台二
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余政工出[2023]1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目基坑监测项目交易公告根据相关规定,经小额公共资源交易申请表批准
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余政工出[2023]1号年产1000台(套)SiGe薄膜沉积设备生产项目桩基检测项目交易公告根据相关规定,经小额公共资源交易申请表批准
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某单位关于某单位高功率脉冲磁控溅射及大尺寸薄膜沉积制备设备采购项目中标结果公告公告概要:公告信息:采购项目名称某单位高功率脉冲磁控溅射及大尺寸薄膜沉积制备设备品
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42. 代理进口协议项目编号:4508118201702448217798四、项目名称:混合离子束溅射薄膜沉积系统五、合同主体采购人(甲方):中国科学院光电技术研究所地址
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